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AP30P06D
P沟道增强型MOSFET,电流:-30A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP30P06D
- 商品编号
- C3024682
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.635nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP30P06D采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且在低至 4.5V 的栅极电压下也能正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 60V
- ID = - 30A
- RDS(ON)< 25 m Ω@ VGS=-10 V(典型值:20 m Ω)
应用领域
-锂电池保护-无线冲击-手机快充