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AP30P06D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP30P06D

P沟道增强型MOSFET,电流:-30A,耐压:-60V

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商品型号
AP30P06D
商品编号
C3024682
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.45克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)52.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
栅极电荷量(Qg)25nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)3.635nF@15V
反向传输电容(Crss)141pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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