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AP15P06S引脚图
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AP15P06S

P沟道增强型MOSFET,电流:-15A,耐压:-60V

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商品型号
AP15P06S
商品编号
C3024677
商品封装
SOP-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)52.1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)25nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.635nF
反向传输电容(Crss)141pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)224pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP15P06S采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • V D S = - 60V,I D = - 15A
  • RDS(ON)< 28 m Ω(在 VGS=-10 V 时)(典型值:20 m Ω)

应用领域

  • 电池管理系统(BMS)
  • 低压开关
  • 电动工具

数据手册PDF