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AP8205A-21
20V N+N沟道 增强模式MOSFET,电流:6.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8205A-21
- 商品编号
- C3024700
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 863pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AP8205A-21采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V \quad ID = 6.5 A
- RDS(ON)< 25 m Ω@ VGS=10 V (典型值:19 m Ω )
应用领域
- 锂电池保护
- 手机快充