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AP4G02LI
20V, 4.5A, 20V N+P沟道 Enhancement Mode MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP4G02LI
- 商品编号
- C3024740
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 677pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP4G02LI采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 4.5A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 35 mΩ(典型值:28 mΩ)
- VDS = -20V,ID = -3.8A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 80 mΩ(典型值:55 mΩ)
应用领域
- 无刷直流电机(BLDC)