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AP20G04GD
40V, 20A, 40V N+P沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20G04GD
- 商品编号
- C3024753
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
AP55N10P/T采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V \quad ID = 20 A
- RDS(ON)< 32 m Ω@ VGS=10 V (典型值:24 m Ω )
- VDS = -40 V \quad ID = -18 A
- RDS(ON)< 48 m Ω@ VGS=-10 V (典型值:42 m Ω )
应用领域
- 升压驱动器
- 无刷电机