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AP4953B
P沟道,电流:-6.5A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP4953B
- 商品编号
- C3024730
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 438pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
AP35H04NF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS（ON）、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 35A
- RDS（ON）< 10 mΩ @ VGS = 10V（典型值：8.6 mΩ）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源