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场效应管(MOSFET)
AP10H10S
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引脚图
此图展示了型号为 AP10H10S 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 AP10H10S 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
AP10H10S
N沟道,电流:12A,耐压:100V
品牌名称
APM(永源微电子)
商品型号
AP10H10S
商品编号
C3024728
商品封装
SOIC-8
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
100mΩ@10V
耗散功率(Pd)
1.5W
阈值电压(Vgs(th))
2.5V@250uA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
11.9nC
输入电容(Ciss)
1.1nF
反向传输电容(Crss)
40pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
55pF
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