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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP10H10S

N沟道,电流:12A,耐压:100V

商品型号
AP10H10S
商品编号
C3024728
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.9nC
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)55pF

数据手册PDF

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