嘉立创上市
购物车0
AP30H04NF实物图
  • AP30H04NF商品缩略图
  • AP30H04NF商品缩略图
  • AP30H04NF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP30H04NF

N+N沟道,电流:30A,耐压:40V

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
AP30H04NF
商品编号
C3024717
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.9W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)10.7nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.314nF
反向传输电容(Crss)88pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP30H04NF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 40V,ID = 30A
  • RDS(ON) < 14 m Ω @ VGS = 10 V(典型值:11 m Ω)

应用领域

  • 无线充电
  • 升压驱动器
  • 无刷电机

数据手册PDF