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AP15P10D

P沟道增强型MOSFET,电流:-15A,耐压:-100V

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商品型号
AP15P10D
商品编号
C3024690
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.44克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))185mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.545nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)37pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP15P10D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -100V,ID = -15A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 185 mΩ(典型值:145 mΩ)

应用领域

  • 无刷电机
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF