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AP8P06S
P沟道增强型MOSFET,电流:-8A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP8P06S
- 商品编号
- C3024673
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.86nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.447nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP8P06S采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -8A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 70 mΩ(典型值:55 mΩ)
应用领域
-无刷电机-负载开关-不间断电源