- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP65N04NF
40V N沟道增强型MOSFET,电流:65A,耐压:40V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP65N04NF
- 商品编号
- C3024540
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 192pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP65N04NF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V DS = 40V
- I D = 65A
- RDS(ON) < 9 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:7.7 m Ω )
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源