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AP100N04NF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP100N04NF

40V N沟道增强模式MOSFET,电流:100A,耐压:40V

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商品型号
AP100N04NF
商品编号
C3024545
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.33克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.2mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)22W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V@250uA
栅极电荷量(Qg)22.7nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)2.6nF@20V
反向传输电容(Crss)71pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个5000个/圆盘

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