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AP50N05D
50V N沟道增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP50N05D
- 商品编号
- C3024552
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.013nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP50N05D采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 50V,ID = 50A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源