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APG40N10DF
100V N沟道增强型MOSFET,电流:40A,耐压:100V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG40N10DF
- 商品编号
- C3024583
- 商品封装
- PDFN-8(3.1x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.0039nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.8pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
APG40N10DF采用先进沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ(典型值:14 mΩ)
应用领域
-消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流