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AP1N10I

100V,电流:1.5A,耐压:100V

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商品型号
AP1N10I
商品编号
C3024572
商品封装
SOT-23L​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)6.47nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)232pF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)23pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP1N10I采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 1.5A
  • RDS(ON) < 500 mΩ(VGS = 10V时)

应用领域

  • 雾化器
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF