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AP6N12MI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP6N12MI

N沟道,电流:6A,耐压:120V

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商品型号
AP6N12MI
商品编号
C3024587
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.13克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))110mΩ@10V,5A
耗散功率(Pd)30W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)11.9nC@50V
输入电容(Ciss@Vds)1.1nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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