APG120N12NF
120V,120A,120V N-SGT 增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG120N12NF
- 商品编号
- C3024592
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61.4nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.282nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP65N04NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 120V ID = 120A
- 在 VGS = 10V 时,RDS(ON) < 7.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源