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AP7N50D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP7N50D

500V N沟道增强型MOSFET,电流:7A,耐压:500V

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商品型号
AP7N50D
商品编号
C3024609
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V,3.5A
耗散功率(Pd)32.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)700pF@25V
反向传输电容(Crss)12pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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