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AP7N50D
500V N沟道增强型MOSFET,电流:7A,耐压:500V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP7N50D
- 商品编号
- C3024609
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 32.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 700pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP7N50D是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),采用自对准平面技术制造,该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和提高效率。
商品特性
- VDS = 500V,ID = 7A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 1.5Ω(典型值:1.2Ω)
应用领域
-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)