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AP5N15MSI
N沟道增强型MOSFET,电流:5A,耐压:150V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP5N15MSI
- 商品编号
- C3024595
- 商品封装
- SOT-223-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 538pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP70N12D采用先进的SGT II技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 150 V,漏极电流ID = 5 A
- 栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 320 mΩ(典型值:260 mΩ)
应用领域
- 汽车照明
- 负载开关
- 不间断电源