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AP80P01NF
P沟道增强型MOSFET,电流:-80A,耐压:-12V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP80P01NF
- 商品编号
- C3024621
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 41.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 726pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP80P01NF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -12V,ID = -80A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 4.5 mΩ
应用领域
- 负载开关
- 电子烟