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APJ10N65D
650V N沟道增强型MOSFET,电流:10A,耐压:650V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APJ10N65D
- 商品编号
- C3024614
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V,3.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 25.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.07nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP18N20D是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = 650 V(典型值:720 V),IDM = 10 A
- RDS(ON) < 950 mΩ(VGS = 10 V 时,典型值:890 mΩ)
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)