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AP30P01DF
P沟道增强型MOSFET,电流:-30A,耐压:-12V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP30P01DF
- 商品编号
- C3024620
- 商品封装
- PDFN-8(3.1x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.783nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 431pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP30P01DF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = - 12V,I D = - 30A
- RDS(ON) < 7.2 m Ω (@ VGS = -4.5 V,典型值:5.8 m Ω )
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源