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AP2313MI
P沟道增强型MOSFET,电流:8A,耐压:-12V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2313MI
- 商品编号
- C3024617
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
AP2313MI采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -12V,漏极电流ID = -8A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快速充电