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AP6P03SI
-30V P沟道增强模式MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP6P03SI
- 商品编号
- C3024641
- 商品封装
- SOT-89-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 596pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP3409MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -6A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ(典型值:40 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源