温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP20P04D
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:40V 电流:20A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- AP20P04D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20P04D
- 商品编号
- C3024657
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP20P04D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 40V,ID = - 20A
- 在VGS = - 10V时,RDS(ON) < 40 mΩ(典型值:30 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源