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AP80P04NF
P沟道增强型MOSFET,电流:-80A,耐压:-40V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP80P04NF
- 商品编号
- C3024662
- 商品封装
- DFN-8-EP(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 605pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP100P04NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V D S = - 40V
- I D = - 80A
- RDS(ON) < -10 m Ω @ VGS=-10 V (典型值:7.0 m Ω )
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源