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AP70P03DF
P沟道增强型MOSFET,电流:-70A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP70P03DF
- 商品编号
- C3024645
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.52nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP80P02DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -70A
- RDS(ON) < 8.0 mΩ @ VGS = -10V(典型值:5.8 mΩ)
应用领域
-锂电池保护-无线冲击-手机快充