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AP20N06BD
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)，低栅极电荷，并且可以在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20N06BD
- 商品编号
- C3024562
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP50N02NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V
- 漏极电流（ID） = 53A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 8.5mΩ（典型值：6.2mΩ）
应用领域
- 3.3V MCU驱动
- 负载开关
- 不间断电源