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AP70N06HD

60V,电流:70A,耐压:60V

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商品型号
AP70N06HD
商品编号
C3024564
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.45克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)28.7nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.24nF
反向传输电容(Crss)146pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)210pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP70N06HD采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60 V,ID = 70 A
  • 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 10 mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF