- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APG110N06NF
60V N沟道增强型MOSFET,电流:110A,耐压:60V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG110N06NF
- 商品编号
- C3024568
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.458nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.522nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
APG1100N06NF采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性,适用于
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)和品质因数FOM
- 极低的开关损耗
- 逆变器具有出色的稳定性和一致性
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用