AP90N08NF
85V N沟道增强模式MOSFET,电流:95A,耐压:85V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP90N08NF
- 商品编号
- C3024570
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.032nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP5N06SI采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 5.8 A
- RDS(ON) < 80 mΩ @ VGS = 10 V（典型值：65 mΩ）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源