嘉立创上市
购物车0
AP65N06D实物图
  • AP65N06D商品缩略图
  • AP65N06D商品缩略图
  • AP65N06D商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP65N06D

N沟道,电流:65A,耐压:60V

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
AP65N06D
商品编号
C3024563
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)28.7nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)2.603nF
反向传输电容(Crss)173pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)189pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP65N06D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60 V,ID = 65 A
  • 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 13 mΩ(典型值:9.0 mΩ)

应用领域

-电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF