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AP180N04NF
40V, 180A, N沟道 Enhancement Mode MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP180N04NF
- 商品编号
- C3024549
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 8.3nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP65N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 180A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 1.5 mΩ(典型值:1.15 mΩ)
应用领域
-电池管理系统(BMS)-无刷直流电机(BLDC)-不间断电源(UPS)