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AP180N04NF

40V, 180A, N沟道 Enhancement Mode MOSFET

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商品型号
AP180N04NF
商品编号
C3024549
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)68W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)127nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)8.3nF
反向传输电容(Crss)130pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.51nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP180N04NF采用先进的APM - SGT V技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 40V,ID = 180A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 1.5 mΩ(典型值:1.15 mΩ)

应用领域

-电池管理系统(BMS)-无刷直流电机(BLDC)-不间断电源(UPS)

数据手册PDF