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AP68N04NF

40V,电流:68A,耐压:40V

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商品型号
AP68N04NF
商品编号
C3024542
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.22克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)68A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.67W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)3nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)690pF
反向传输电容(Crss)38pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)193pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP68N04NF采用先进的APM - SGT V技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 40V,ID = 68A
  • 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 8.5 mΩ(典型值:6.9 mΩ)
  • Ciss ≈ 690 pF

应用领域

  • 无线充电
  • 升压驱动器
  • 无刷电机

数据手册PDF