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AP68N04DF
40V, 68A, N沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP68N04DF
- 商品编号
- C3024541
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 690pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP68N04DF采用先进的APM - SGT V技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 68A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ @ VGS = 10 V(典型值:6.9 mΩ)
- Ciss ≈ 690 pF
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机