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AP2312MI
20V,电流:6.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2312MI
- 商品编号
- C3011243
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.05nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 888pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
LX3400S结合了先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 5.1 A
- 漏源电压（VDS） = 10 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 33 mΩ
- 漏源电压（VDS） = 4.5 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 39 mΩ
- 漏源电压（VDS） = 2.5 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 55 mΩ
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理