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AP120N06P
1个N沟道 耐压:65V 电流:125A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP120N06P
- 商品编号
- C3011344
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 172W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 306pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 521pF |
商品概述
AP50N06P/T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 65V,ID = 125A
- RDS(ON) < 5.6 mΩ(VGS = 10V时,典型值:4.8 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源