温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP20P03D
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AP20P03D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为……
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20P03D
- 商品编号
- C3011437
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 585pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AP50P02DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -50A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 9mΩ（典型值：6.8mΩ）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源