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AP50P03NF
30V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 采用先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP50P03NF
- 商品编号
- C3011442
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
AP40P03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -40A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充