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APG110N10NF
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
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- 描述
- APG110N10NF采用先进的APM - SGTⅡ技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APG110N10NF
- 商品编号
- C3011382
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP160N10P/T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至10V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V ID = 160A
- RDS(ON) < 4.2 mΩ VGS = 10V（典型值：3.7 mΩ）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源