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AP60N03NF
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷，并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP60N03NF
- 商品编号
- C3011278
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.844nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |
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