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AP100N03Y实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP100N03Y

30V,100A,30V N沟道增强型MOSFET

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商品型号
AP100N03Y
商品编号
C3011287
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
1.21克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)46W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)33.7nC@15V
输入电容(Ciss@Vds)1.614nF@15V
反向传输电容(Crss)215pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF