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APJ14N65D
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 采用电荷平衡技术，具有极低的导通电阻和低栅极电荷性能，适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- APJ14N65D
- 商品编号
- C3011409
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 438pF@650V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.32pF@650V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP2311MI采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -12V，ID = -7.0A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 24 mΩ（典型值：19 mΩ）
应用领域
- 电子烟
- 负载开关