AP20N06D
60V N沟道增强型MOSFET,电流:20A,耐压:60V
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20N06D
- 商品编号
- C3011324
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
当前商品已下架 如需订货请填写您的需求