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AP100N03AD
30V N沟道增强型MOSFET,电流:100A,耐压:30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP100N03AD
- 商品编号
- C3011285
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.614nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AP70N03DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 100A
- RDS(ON) < 6.0 mΩ @ VGS = 10 V(典型值:4.8 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源