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AP60N03P
30V N沟道增强型MOSFET,电流:60A,耐压:30V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP60N03P
- 商品编号
- C3011279
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
AP60N03P采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 60 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 12 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源