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AP120N03NF
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 30V N沟道增强型MOSFET器件适用于作为……
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP120N03NF
- 商品编号
- C3011288
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP120N03NF采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2.4 mΩ
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
- 手机快充