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AP120N04P
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于作为40V N沟道增强型MOSFET使用。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP120N04P
- 商品编号
- C3011309
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 317pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP150N03P/T采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 150 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）< 4 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源