嘉立创上市
购物车0
AP180N03D实物图
  • AP180N03D商品缩略图
  • AP180N03D商品缩略图
  • AP180N03D商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP180N03D

N沟道,电流:180A,耐压:30V

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
AP180N03D
商品编号
C3011291
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)180A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)187W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)56.9nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)5.85nF
反向传输电容(Crss)525pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)720pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP180N03D采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 180A
  • RDS(ON) < 3.2 mΩ(@ VGS = 10V,典型值为2.1 mΩ)

应用领域

-电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF