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AP110N04D
40V N沟道增强型MOSFET,电流:110A,耐压:40V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP110N04D
- 商品编号
- C3011308
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 411pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP110N04D采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至10V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 110 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 4.3 mΩ(典型值:3.5 mΩ)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源